Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Estimation of Optimum Ion Energy for the Reduction of Resistivity in Bias Sputtering of ITO Thin Films Anggaran Tenaga Ion Optimum untuk Pengurangan Kerintangan dalam Bias Sputtering Filem Nipis ITO

Kiyoshi ISHII, Yoshifumi SAITOU, Kengo FURUTANI, Hiroshi SAKUMA, Yoshito IKEDA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Filem nipis indium oksida (ITO) yang didopkan timah telah disediakan pada kerajang polietilena tereftalat (PET) secara pincang sputtering. Sekiranya tiada bias substrat, filem yang mempunyai kerintangan tinggi 210-2 Ωcm telah terbentuk. Sebaliknya, dengan penggunaan bias substrat rf, filem yang mempunyai kerintangan rendah 2.610-4 Ωcm telah terbentuk. Tenaga ion yang mengebom substrat semasa sputtering bias dianggarkan oleh simulasi pecutan ion. Tenaga ion optimum yang diperlukan untuk pengurangan kerintangan didapati kira-kira 50 eV.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.10 pp.1653-1657
Tarikh penerbitan
2008/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.10.1653
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Functional Thin Films for Optical Applications)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]