Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs Using HfO2 as a Gate Oxide Mod Penambahbaikan n-Saluran MOSFET GaN Menggunakan HfO2 sebagai Gate Oksida

Shun SUGIURA, Shigeru KISHIMOTO, Takashi MIZUTANI, Masayuki KURODA, Tetsuzo UEDA, Tsuyoshi TANAKA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah mencipta MOSFET GaN saluran n mod peningkatan dengan struktur get bertindih pada p-GaN menggunakan HfO tebal2 sebagai penebat pintu. Transkonduktans maksimum 23 mS/mm iaitu 4 kali lebih besar, pada pengetahuan kami, daripada nilai terbaik yang dilaporkan bagi MOSFET GaN yang tidak normal dengan SiO2 gerbang oksida telah diperolehi.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1001-1003
Tarikh penerbitan
2008/07/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1001
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
kategori
Peranti berasaskan Nitrida

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]