Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A GaAs SOI HEMT Fabricated by Fluidic Self-Assembly and Its Application to an RF-Switch HEMT SOI GaAs Dicipta oleh Pemasangan Sendiri Fluidic dan Penggunaannya pada Suis RF

Koichi MAEZAWA, Ikuo SOGA, Shigeru KISHIMOTO, Takashi MIZUTANI, Kazuhiro AKAMATSU

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Penyepaduan heterogen GaAs HEMTs pada substrat seramik AlN yang diliputi polimida telah ditunjukkan menggunakan teknik pemasangan diri bendalir (FSA). Kami menggunakan blok peranti nipis untuk FSA, yang mempunyai pelbagai kelebihan. Khususnya, mereka boleh mengurangkan kapasiti sumber saliran Cds daripada HEMT yang dipasang jika substrat mempunyai pemalar dielektrik yang rendah. Ini adalah sejenis teknologi baru semikonduktor-pada-penebat (SOI). Sifat dc dan RF HEMT GaAs pada substrat polimida/AlN telah dikaji dan pengurangan Cds telah disahkan. Teknik ini berjaya digunakan pada suis SPDT, di mana nilai rendah Cds adalah penting untuk pengasingan yang baik.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1025-1030
Tarikh penerbitan
2008/07/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1025
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
kategori
Teknologi Integrasi Novel

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]