Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer Biasanya-Off AlGaN/GaN HEMT dengan Lapisan Penutup InGaN Nipis

Masafumi ITO, Shigeru KISHIMOTO, Fumihiko NAKAMURA, Takashi MIZUTANI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah membuat HEMT AlGaN/GaN dengan lapisan penutup InGaN nipis untuk melaksanakan HEMT biasa dengan rintangan sumber ekstrinsik yang kecil. Idea utama ialah menggunakan medan terdorong polarisasi dalam lapisan penutup InGaN, yang mana jalur pengaliran dinaikkan membawa kepada operasi yang dimatikan secara normal. HEMT yang direka dengan In0.2Ga0.8Lapisan penutup N dengan ketebalan 5 nm menunjukkan operasi biasa dimatikan dengan voltan ambang 0.4 V dan transkonduktans maksimum 85 mS/mm untuk peranti dengan gerbang sepanjang 1.9-µm. Dengan menggoreskan In0.2Ga0.8Lapisan penutup N di rantau kecuali di bawah pintu pagar menggunakan get dan elektrod ohmik sebagai topeng goresan, rintangan kepingan telah menurun daripada 2.7 kepada 0.75 kΩ/, dan transkonduktans maksimum telah meningkat daripada 85 kepada 130 mS/mm disebabkan oleh pengurangan rintangan sumber ekstrinsik. Transkonduktans ditingkatkan daripada 130 kepada 145 mS/mm dengan menyepuhlindap peranti pada 250 selama 20 minit dalam N2 suasana.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.989-993
Tarikh penerbitan
2008/07/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.989
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
kategori
Peranti berasaskan Nitrida

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]