Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

AlN/GaN Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor on Sapphire Substrate Transistor Kesan Medan Semikonduktor Penebat Logam AlN/GaN pada Substrat Nilam

Sanghyun SEO, Kaustav GHOSE, Guang Yuan ZHAO, Dimitris PAVLIDIS

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Transistor Kesan Medan Semikonduktor Penebat Logam AlN/GaN (MISFET) telah direka, disimulasikan dan dibuat. Pengukuran DC, S-parameter dan kuasa juga dilakukan. Simulasi resapan hanyut menggunakan DESSIS berbanding MISFET AlN/GaN dan Al32Ga68N/GaN Heterostructure FETs (HFETs) dengan geometri yang sama. Keputusan simulasi menunjukkan kelebihan MISFET AlN/GaN dari segi arus tepu yang lebih tinggi, kebocoran pintu yang lebih rendah dan transkonduktans yang lebih tinggi daripada HFET AlGaN/GaN. Keputusan pertama daripada peranti AlN/GaN yang direka dengan panjang get 1 µm dan lebar get 200 µm menunjukkan ketumpatan arus longkang maksimum sebanyak 380 mA/mm dan transkonduktans ekstrinsik puncak 85 mS/mm. Pengukuran parameter S menunjukkan bahawa kekerapan pemotongan keuntungan semasa (fT) dan frekuensi ayunan maksimum (fmaks) ialah 5.85 GHz dan 10.57 GHz, masing-masing. Ciri kuasa diukur pada 2 GHz dan menunjukkan ketumpatan kuasa output 850 mW/mm dengan 23.8% PAE pada VDS = 15 V. Untuk pengetahuan penulis, ini adalah laporan pertama kajian sistematik MISFET AlN/GaN yang menangani pemodelan fizikal dan ciri frekuensi tinggi eksperimen termasuk prestasi kuasa.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.994-1000
Tarikh penerbitan
2008/07/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.994
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
kategori
Peranti berasaskan Nitrida

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]