Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

High-Frequency, Low-Noise Si Bipolar Transistor Fabricated Using Self-Aligned Metal/IDP Technology Transistor Bipolar Frekuensi Tinggi, Bunyi Rendah yang Dibuat Menggunakan Teknologi Logam/IDP Jajaran Sendiri

Hiromi SHIMAMOTO, Takahiro ONAI, Eiji OHUE, Masamichi TANABE, Katsuyoshi WASHIO

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Transistor bipolar silikon berfrekuensi tinggi dan hingar rendah yang boleh digunakan dalam sistem komunikasi optik lebih 10 Gb/s dan sistem komunikasi tanpa wayar telah dibangunkan. Transistor bipolar silikon telah difabrikasi menggunakan teknologi logam/IDP (SMI) jajaran sendiri, yang menghasilkan elektrod asas jajaran sendiri bagi lapisan bertindan logam dan poli-Si (IDP) terdop in-situ oleh tungsten CVD terpilih suhu rendah. Ia memberikan rintangan asas yang rendah dan kekerapan pemotongan tinggi. Rintangan asas dikurangkan kepada separuh daripada transistor dengan elektrod asas poli-Si konvensional. Dengan menggunakan teknologi SMI dan mengoptimumkan kedalaman pemancar dan pangkalan pautan, kami mencapai kekerapan ayunan maksimum 80 GHz, kelewatan pintu minimum dalam ECL sebanyak 11.6 ps, dan angka hingar minimum 0.34 dB pada 2 GHz, yang merupakan prestasi tertinggi antara yang diperoleh daripada transistor bipolar asas Si yang ditanam ion, dan setanding dengan transistor bipolar heterojunction asas SiGe.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.2007-2012
Tarikh penerbitan
1999/11/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
kategori
IC RF Penggunaan Kuasa Rendah

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]