Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Ultra-High-Speed GaAs MESFET IC Modules Using Flip Chip Bonding Modul IC GaAs MESFET Ultra-Kelajuan Tinggi Menggunakan Ikatan Cip Flip

Hiroyuki KIKUCHI, Hideki TSUNETSUGU, Makoto HIRANO, Satoshi YAMAGUCHI, Yuhki IMAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas ini menerangkan modul IC penguat teragih dan modul IC pengedar isyarat 1 : 2 yang diedarkan untuk sistem penghantaran optik 40-Gbit/s. IC ini direka bentuk dengan teknik reka bentuk litar teragih dan jalur mikro terbalik dan direka menggunakan 0. MESFET GaAs 1-µm-panjang pintu dengan struktur sambung berbilang lapisan. Ini telah dipasang pada substrat berbilang lapisan filem nipis dalam pakej rongga bersaiz cip melalui teknik ikatan flip-cip yang menggunakan benjolan microsolder yang dipindahkan. Modul penguat mencapai lebar jalur 3-dB lebih daripada 50 GHz dan keuntungan sebanyak 8 dB. Jalur lebar 3-dB bagi modul pengedar isyarat 1 : 2 ialah 40 GHz dan kerugian ialah 2 dB. Modul ini ditunjukkan pada 40 Gbit/s dan pembukaan mata yang jelas telah disahkan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.3 pp.475-482
Tarikh penerbitan
1999/03/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Ultra-High-Speed IC and LSI Technology)
kategori
Peranti Semikonduktor Kompaun

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]