Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

0.21-fJ GaAs DCFL Circuits Using 0.2-µm Y-Shaped Gate AlGaAs/InGaAs E/D-HJFETs Litar DCFL GaAs 0.21-fJ Menggunakan Gerbang Berbentuk Y 0.2-µm AlGaAs/InGaAs E/D-HJFETs

Shigeki WADA, Masatoshi TOKUSHIMA, Masaoki ISHIKAWA, Nobuhide YOSHIDA, Masahiro FUJII, Tadashi MAEDA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Penggunaan kuasa ultra-rendah dan litar DCFL berkelajuan tinggi telah direka dengan menggunakan 0.2-µm gerbang berbentuk Y E/D-heterojunction-FET (HJFET) dengan struktur get nisbah aspek tinggi, yang mempunyai kelebihan. mengurangkan kapasitans pinggir pintu (Cf) kepada kira-kira separuh daripada nisbah aspek rendah konvensional. Pengayun gelang 51 peringkat fabrikasi dengan gerbang berbentuk Y 0.2-µm n-AlGaAs/i-InGaAs E/D-HJFETs menunjukkan produk tunda kuasa terendah 0.21 fJ dengan kelewatan perambatan tidak dimuatkan sebanyak 34.9 ps pada voltan bekalan (VDD) sebanyak 0.4 V. Kami juga menganalisis ciri pensuisan DCFL dengan mengambil kira kapasitans get-ke-sumber intrinsik (Cgsint) Dan Cf. Keputusan analisis untuk produk kelewatan kuasa bersetuju dengan keputusan percubaan kami. Analisis kami juga menunjukkan litar DCFL dengan nisbah aspek tinggi gerbang berbentuk Y E/D-HJFET boleh mengurangkan produk kelewatan kuasa sebanyak 35% atau lebih di bawah 0.25-µm panjang pintu berbanding dengan yang konvensional dengan rendah. -Nisbah aspek HJFET gerbang berbentuk Y. Keputusan ini menjelaskan bahawa Cf-pengurangan HJFET get berbentuk Y adalah lebih berkesan dalam meningkatkan produk kelewatan kuasa daripada mengurangkan panjang get.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.3 pp.491-497
Tarikh penerbitan
1999/03/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Ultra-High-Speed IC and LSI Technology)
kategori
Peranti Semikonduktor Kompaun

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]