Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Low dc Power Si-MOSFET L- and C-Band Low Noise Amplifiers Fabricated by SIMOX Technology Kuasa dc rendah Si-MOSFET L- dan C-Band Penguat Bunyi Rendah Dicipta oleh Teknologi SIMOX

Mitsuru HARADA, Tsuneo TSUKAHARA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Makalah ini melaporkan penguat hingar rendah monolitik (LNA) jalur L dan jalur C yang direka dengan teknologi MOSFET/SIMOX (Pemisahan oleh Oksigen Terimplan) buat kali pertama. LNA jalur L mempamerkan Gain/(Pdcnisbah NF) 0.7/mW, yang menunjukkan kelebihan prestasi potensi teknologi ini. LNA jalur C mempunyai 0.05/mW pada 5.8 GHz. Penguat jalur L mempunyai keuntungan sebanyak 8.5 dB pada 0.5 V, yang merupakan voltan bekalan terendah yang pernah dilaporkan dalam LNA berasaskan Si. LNA ini terdiri daripada 0.25-µm nMOSFET/SIMOX, induktor lingkaran, dan kapasitor yang direka dengan proses CMOS LSI digital konvensional. Ia menunjukkan bahawa litar RF L- dan C-band boleh dibuat pada wafer SIMOX bersama dengan litar digital berskala besar.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.3 pp.553-558
Tarikh penerbitan
1999/03/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Ultra-High-Speed IC and LSI Technology)
kategori
Peranti Silikon

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]