Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Advanced Characterization Method for Sub-Micron DRAM Cell Transistors Kaedah Pencirian Lanjutan untuk Transistor Sel DRAM Sub-Micron

Ikuo KURACHI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kaedah pencirian lanjutan untuk transistor sel DRAM sub-mikron telah dicadangkan untuk analisis struktur ujian transistor menggunakan corak sel memori. Apabila susun atur sel memori sebenar digunakan sebagai struktur ujian, sumber parasit dan rintangan saliran struktur ujian menjejaskan parameter transistor konvensional seperti voltan ambang. Untuk menyelesaikan masalah ini, kaedah pengukuran arus longkang yang dikurangkan telah dicadangkan untuk menyekat penurunan voltan rintangan parasit. Dalam pengukuran ini, dua parameter transistor baharu, Vgoff and Vgsat, telah dicadangkan yang berkaitan dengan kebocoran luar dan penulisan penuh, masing-masing. Parameter ini didapati sebagai parameter yang baik untuk memantau kegagalan bit DRAM. Metodologi pengukuran voltan ambang baharu juga telah dicadangkan untuk struktur ujian dengan rintangan parasit yang tinggi.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.4 pp.618-623
Tarikh penerbitan
1999/04/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Microelectronic Test Structures)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]