Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Large Signal Analysis of RF Circuits in Device Simulation Analisis Isyarat Besar Litar RF dalam Simulasi Peranti

Zhiping YU, Robert W. DUTTON, Boris TROYANOSKY, Junko SATO-IWANAGA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Memandangkan komunikasi tanpa wayar menembusi setiap sudut dunia, reka bentuk optimum dan analisis tepat RF, peranti semikonduktor kuasa menjadi salah satu cabaran terbesar dalam pembangunan alat EDA dan TCAD (Technology CAD). Tolok prestasi untuk peranti ini agak berbeza daripada untuk peranti digital atau analog yang bertujuan untuk aplikasi isyarat kecil kerana perolehan kuasa, kecekapan dan herotan (atau julat kelinearan) adalah kebimbangan reka bentuk yang paling utama. Dalam artikel ini, metodologi dan asas matematik untuk analisis berangka herotan isyarat besar pada peringkat simulasi peranti dibincangkan. Walaupun kaedah imbangan harmonik (HB) telah lama digunakan dalam simulasi litar untuk analisis herotan isyarat yang besar, pelaksanaan kaedah yang sama dalam simulasi peranti menghadapi cabaran yang menggerunkan, antaranya ialah kos pengiraan yang luar biasa dan pengurusan penyimpanan memori. Tetapi faedah daripada menjalankan simulasi tahap peranti sedemikian juga jelas--buat pertama kali, kesan teknologi dan variasi struktur peranti pada prestasi isyarat yang besar boleh dinilai secara langsung. Langkah-langkah yang perlu untuk menjadikan analisis HB boleh dilaksanakan dalam simulasi peranti digariskan dan penambahbaikan algoritma untuk meringankan beban pengiraan/penyimpanan dibincangkan. Aplikasi simulator peranti untuk pelbagai peranti kuasa RF, termasuk GaAs MESFET dan LDMOS silikon (MOS resapan sisi) dibentangkan, dan pandangan yang diperoleh daripada analisis sedemikian disediakan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.908-916
Tarikh penerbitan
1999/06/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]