Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Design and Analysis of Resonant-Tunneling-Diode (RTD) Based High Performance Memory System Reka Bentuk dan Analisis Sistem Memori Berprestasi Tinggi Berasaskan Resonant-Tunneling-Diod (RTD).

Tetsuya UEMURA, Pinaki MAZUMDER

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Reka bentuk litar penguat deria berasaskan resonant-tunneling-diode (RTD) telah dicadangkan buat kali pertama untuk membayangkan sistem memori berkelajuan tinggi dan berkuasa rendah yang turut merangkumi sel memori berasaskan RTD padat tanpa penyegaran. Dengan menggabungkan RTD dengan transistor jenis-n bagi peranti semikonduktor oksida logam pelengkap konvensional (CMOS), keluarga litar logik kuantum MOS (Q-MOS) baharu, yang mempunyai produk kelewatan kuasa yang sangat rendah dan imuniti hingar yang baik, telah dibangunkan baru-baru ini. Kertas kerja ini memperkenalkan reka bentuk dan analisis litar penguat deria QMOS baharu, yang terdiri daripada sepasang RTD sebagai beban tarik naik bersama-sama dengan transistor tarik-turun jenis-n. Litar pengesan QMOS yang dicadangkan mempamerkan masa pengesanan hampir 20% lebih pantas berbanding reka bentuk konvensional penguat deria CMOS. Analisis kestabilan yang dilakukan menggunakan rajah plot fasa mendedahkan bahawa pasangan penyongsang QMOS statik bersambung belakang ke belakang, yang membentuk teras penguat deria, mempunyai keadaan meta-stabil dan tidak stabil yang berkait rapat dengan ciri IV bagi RTD. Makalah ini juga menganalisis secara terperinci reka bentuk sel memori tanpa segar semula, yang dikenali sebagai memori capaian rawak statik terowong (TSRAM). Reka bentuk sel yang inovatif menambah timbunan dua RTD pada sel RAM dinamik (DRAM) satu transistor konvensional dan dengan itu sel boleh menahan paras casnya selama-lamanya tanpa sebarang penyegaran berkala lagi. Analisis menunjukkan bahawa sel TSRAM boleh mencapai kira-kira dua susunan magnitud kuasa siap sedia lebih rendah daripada sel DRAM konvensional. Kertas kerja itu menunjukkan bahawa litar berasaskan RTD memegang janji yang tinggi dan berkemungkinan menjadi calon utama untuk sistem memori berketumpatan tinggi, berprestasi tinggi dan berkuasa rendah masa hadapan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.9 pp.1630-1637
Tarikh penerbitan
1999/09/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Integrated Electronics and New System Paradigms)
kategori
Aplikasi Peranti Terowong Resonan

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]