Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias MOSFET Kuasa Rendah dan Voltan Rendah dengan Voltan Ambang Boleh Ubah Dikawal oleh Pis Belakang

Toshiro HIRAMOTO, Makoto TAKAMIYA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah mengkaji pertukaran ciri dalam MOSFET kuasa rendah dan voltan rendah dari sudut pandangan kawalan pintu belakang dan faktor kesan badan. Struktur MOSFET yang dilaporkan sebelum ini dikelaskan kepada empat kategori dari segi struktur pintu belakang. Ditunjukkan bahawa MOSFET dengan bias belakang tetap hanya mempunyai pemacu arus terhad pada voltan rendah tanpa mengira struktur peranti, manakala pemacu semasa MOSFET ambang dinamik dengan badan terikat pada pintu lebih dipertingkatkan dengan peningkatan faktor kesan badan. Kami telah mencadangkan MOSFET ambang dinamik baharu, DTMOS badan teraruh elektrik (EIB), yang mempunyai faktor kesan badan yang sangat besar pada voltan ambang rendah dan pemacu arus tinggi pada voltan bekalan rendah.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.2 pp.161-169
Tarikh penerbitan
2000/02/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Low-Power High-Speed CMOS LSI Technologies)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]