Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

InGaN MQW Laser Diodes Grown on an n-GaN Substrate with a Backside n-Contact Diod Laser MQW InGaN Ditumbuhkan pada Substrat n-GaN dengan Bahagian Belakang n-Kenalan

Masaru KURAMOTO, A. Atsushi YAMAGUCHI, Akira USUI, Masashi MIZUTA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Operasi gelombang berterusan pada suhu bilik telah ditunjukkan untuk diod laser (LDs) multi-kuantum-well (MQW) InGaN yang ditanam pada substrat FIELO GaN dengan sentuhan n bahagian belakang. Ini dimungkinkan dengan memperkenalkan konsep baharu yang penting untuk mengurangkan kehelan benang yang berlaku semasa pertumbuhan substrat GaN. Kami mendapati bahawa lapisan aktif InGaN yang ditanam pada FIELO GaN adalah lebih baik daripada yang ditanam pada substrat nilam konvensional dari segi mod pertumbuhannya dan hasil turun naik komposisi. Diod laser yang dibuat menunjukkan arus ambang, ketumpatan arus ambang dan voltan ambang adalah 36 mA, 5.4 kA/cm2 dan 7.5 V, masing-masing, dengan panjang gelombang pengelasan 412 nm dan kecekapan kuantum dalaman setinggi 98%.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.552-559
Tarikh penerbitan
2000/04/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]