Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Role of Dislocation in InGaN/GaN Quantum Wells Grown on Bulk GaN and Sapphire Substrates Peranan Dislokasi dalam Telaga Kuantum InGaN/GaN yang Ditanam pada Substrat GaN dan Nilam Pukal

Tomoya SUGAHARA, Shiro SAKAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Sifat kehelan dalam Telaga Kuantum InGaN/GaN dan GaN yang ditanam pada substrat GaN dan nilam pukal oleh pemendapan wap kimia metalorganik (MOCVD) telah dicirikan menggunakan cathodoluminescnece (CL), mikroskop elektron penghantaran (TEM), mikroskop daya atom (AFM) dan photoluminescence (PL). ). Ia telah ditunjukkan dengan jelas bahawa kehelan bertindak sebagai pusat penggabungan semula bukan sinaran dalam kedua-dua lapisan GaN dan InGaN jenis-n (tidak terdop dan Si-doped). Tambahan pula, panjang resapan pembawa minoriti yang sangat pendek merupakan parameter utama untuk menerangkan kecekapan pelepasan cahaya yang tinggi dalam diod pemancar cahaya (LED) berasaskan GaN yang disediakan pada substrat nilam. Di sisi lain keadaan band-tail dikesan dalam lapisan InGaN heteroepitaxial hanya dengan pengukuran PL pergantungan suhu. Selain itu, pemisahan fasa InGaN, yang terdiri daripada beberapa domain mikron, telah dihasilkan dalam keadaan pertumbuhan yang memihak kepada pertumbuhan lingkaran. Keputusan ini menunjukkan bahawa kehelan dalam lapisan InGaN bertindak sebagai pusat pencetus untuk pemisahan fasa InGaN yang menyebabkan kedua-dua turun naik komposisi dan pembentukan beberapa domain yang diasingkan fasa mikron. Lapisan InGaN homoepitaxial menunjukkan tingkah laku yang agak normal untuk semua pencirian.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.598-604
Tarikh penerbitan
2000/04/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]