Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

3-Dimensional Process Simulation of Thermal Annealing of Low Dose Implanted Dopants in Silicon Simulasi Proses 3 Dimensi Penyepuhlindapan Terma Dopan Diimplan Dos Rendah dalam Silikon

Vincent SENEZ, Jerome HERBAUX, Thomas HOFFMANN, Evelyne LAMPIN

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas kerja ini melaporkan pelaksanaan dalam tiga dimensi (3D) model resapan untuk dopan implan dos rendah dalam silikon dan pelbagai isu berangka yang berkaitan dengannya. Untuk membolehkan pengguna akhir memilih antara ketepatan tinggi atau masa pengiraan kecil, model resapan konvensional dan 5 spesies telah dilaksanakan dalam modul 3D DIFOX-3D kepunyaan bentuk plat PROMPT. Sebagai perbandingan dengan simulasi satu dan dua dimensi (1D dan 2D) yang dilakukan dengan IMPACT-4, di mana model yang ditentukur wujud, kesahihan model 3D ini telah disemak. Akhir sekali, keputusan yang diperoleh untuk simulasi 3 dimensi bagi langkah penyepuhlindapan terma pantas yang terlibat dalam pembuatan transistor MOS dibentangkan yang menunjukkan keupayaan modul ini untuk mengendalikan pengoptimuman peranti sebenar.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1267-1274
Tarikh penerbitan
2000/08/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
kategori
Permodelan dan Simulasi Proses

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]