Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Advanced Process/Device Modeling and Its Impact on the CMOS Design Solution Pemodelan Proses/Peranti Lanjutan dan Kesannya terhadap Penyelesaian Reka Bentuk CMOS

Shigetaka KUMASHIRO

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas kerja ini melaporkan hasil aplikasi pemodelan proses/peranti termaju terkini kepada penyelesaian reka bentuk CMOS 0.13 [µm]. Telah ditunjukkan bahawa kedalaman simpang sambungan S/D, profil telaga, profil saluran dan arus pemacu CMOS 0.13 [µm] boleh diramalkan dengan ketepatan yang munasabah. Penambahbaikan model selanjutnya diperlukan untuk meramalkan ciri ΔL dan Vt-Lg bagi peranti dengan poket I/I senget dengan lebih tepat. Ia agak berfaedah untuk membina beberapa peta reka bentuk dengan menggunakan TCAD termaju yang canggih dengan cara 'pengeboman permaidani' pada peringkat awal pembangunan CMOS generasi baharu.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1281-1287
Tarikh penerbitan
2000/08/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
kategori
Metodologi dan Persekitaran Simulasi

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]