Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Adsorption of Silicone Vapor on the Contact Surface and Its Effect on Contact Failure of Micro Relays Penjerapan Wap Silikon pada Permukaan Sentuhan dan Kesannya terhadap Kegagalan Sentuhan Geganti Mikro

Terutaka TAMAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Pencemaran silikon akibat SiO2 disebabkan oleh penguraian wap silikon diiktiraf sebagai fenomena yang tidak diingini dalam aplikasi sentuhan elektrik. Kesan wap silikon yang terjerap pada permukaan sentuhan telah diperiksa dengan menggunakan sesentuh geganti mikro. Jumlah SiO2 dibentuk oleh penguraian wap silikon dijangka bergantung kepada jumlah wap silikon yang terjerap pada permukaan sentuhan. Oleh itu, pertama sekali, peningkatan dalam ketebalan filem daripada wap silikon terjerap sebagai fungsi masa pendedahan telah dijelaskan untuk keadaan statik permukaan. Ketebalan filem wap silikon terjerap meningkat mengikut kadar masa pendedahan dan tepu pada lapisan tunggal nipis. Selain itu, dalam tempoh pendedahan ini, ketebalan dipengaruhi oleh kepekatan wap silikon. Selepas ketebalan lapisan molekul tepu, ketebalan lapisan tidak dipengaruhi oleh kepekatan wap silikon. Seterusnya, daripada keputusan yang diperolehi melalui pemeriksaan pendedahan dalam keadaan statik, perkara berikut boleh disimpulkan. Molekul silikon menyerap dengan mudah pada permukaan sentuhan semasa tempoh pembukaan membuat dan memecahkan kenalan serta dalam keadaan statik. Memandangkan masa sesentuh dibuka menentukan masa pendedahan, jumlah molekul silikon terjerap bergantung pada kadar pensuisan (operasi sesaat). Kegagalan sentuhan akibat peningkatan rintangan sentuhan mungkin dipengaruhi oleh kadar pensuisan dalam persekitaran silikon. Sehubungan itu, ciri rintangan sentuhan telah diperiksa dalam pelbagai kadar pensuisan. Didapati bahawa bilangan operasi sehingga kegagalan sentuhan terjejas dengan ketara oleh kadar pensuisan. Iaitu, bilangan operasi sehingga kegagalan sentuhan berkurangan apabila kadar pensuisan meningkat. Walau bagaimanapun, apabila lapisan yang sangat nipis seperti monolayer telah terbentuk, ketebalan filem tidak lagi berkembang. Sehubungan itu, selepas lapisan yang sangat nipis terbentuk, kejadian kegagalan sentuhan tidak bergantung pada kepekatan silikon dan kadar pensuisan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.9 pp.1402-1408
Tarikh penerbitan
2000/09/25
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Current Electromechanical Devices and Their Materials with Recent Innovations)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]