Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Low-Frequency Noise Characteristics of AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMTs Ciri Bunyi Frekuensi Rendah bagi HEMT Pseudomorfik AlGaAs/InGaAs

Takashi MIZUTANI, Makoto YAMAMOTO, Shigeru KISHIMOTO, Koichi MAEZAWA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Bunyi frekuensi rendah HEMT pseudomorfik InGaAs yang dibuat pada substrat GaAs telah dikaji. Kebergantungan ketumpatan spektrum hingar pada voltan pintu menunjukkan bahawa saluran peranti mendominasi hingar frekuensi rendah. Bunyi penjanaan-rekombinasi (GR) diperhatikan dalam bentuk bonjolan yang ditindih pada latar belakang 1/f. Tenaga pengaktifan bunyi GR ialah 0.32-0.39 eV yang hampir dengan pusat DX, menunjukkan bahawa asal bunyi GR ialah pusat DX dalam lapisan penghalang AlGaAs. Bonjolan kecil diperhatikan dalam hingar arus pintu HEMT dengan pecahan mol InAs yang besar sebanyak 0.4 dan 0.5. Penjanaan perangkap dengan pemalar masa yang berbeza boleh menjelaskan tingkah laku ini.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1318-1322
Tarikh penerbitan
2001/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
kategori
Hetero-FET & Litar Bersepadunya

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]