Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

The Recovery Process of RIE-Damage in InGaAs/AlGaAs PHEMT Using Recombination Enhanced Defect Reaction Proses Pemulihan Kerosakan RIE dalam InGaAs/AlGaAs PHEMT Menggunakan Reaksi Kecacatan Dipertingkatkan Penggabungan Semula

Shinichi HOSHI, Takayuki IZUMI, Tomoyuki OHSHIMA, Masanori TSUNOTANI, Tamotsu KIMURA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Pengurangan arus longkang untuk transistor mobiliti elektron tinggi pseudomorphic InGaAs/AlGaAs (PHEMTs) telah diperhatikan disebabkan oleh kerosakan RIE yang disebabkan di bawah rantau pintu. Walau bagaimanapun, didapati bahawa arus longkang boleh dipulihkan selepas tegasan arus balik longkang pintu walaupun pada suhu bilik. Kadar pemulihan arus longkang sangat bergantung pada ketumpatan arus balik longkang pintu. Tenaga pengaktifan kadar pemulihan telah disahkan menurun daripada 0.531 eV kepada 0.119 eV di bawah tegasan arus songsang longkang pintu. Fenomena ini boleh difahami sebagai tindak balas kecacatan yang dipertingkatkan gabungan semula lubang yang dihasilkan oleh pecahan runtuhan salji. Penggabungan semula bukan sinaran lubang pada tahap kecacatan dipercayai dapat meningkatkan pemulihan kerosakan RIE.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1350-1355
Tarikh penerbitan
2001/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
kategori
Hetero-FET & Litar Bersepadunya

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]