Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

InP DHBT with 0.5 µ m Wide Emitter along <010> Direction toward BM-HBT with Narrow Emitter InP DHBT dengan Pemancar Lebar 0.5 µm sepanjang <010> Arah ke BM-HBT dengan Pemancar Sempit

Toshiki ARAI, Shigeharu YAMAGAMI, Yoshifumi OKUDA, Yoshimichi HARADA, Yasuyuki MIYAMOTO, Kazuhito FURUYA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Proses fabrikasi untuk pemancar sempit sepanjang 010 arah dalam transistor bipolar heterojunction yang dilukis sepenuhnya oleh litografi rasuk elektron telah dikaji. Struktur pemancar dengan lebar 100 nm telah dibentuk dengan menggunakan struktur epitaxial dengan lapisan InP tebal 30-nm pemancar. Operasi transistor peranti dengan pemancar lebar 0.5-µm telah disahkan. Proses ini boleh digunakan pada transistor bipolar heterojunction logam terkubur (BM-HBT) dengan pemancar sempit, menghasilkan operasi berkelajuan tinggi BM-HBT.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1394-1398
Tarikh penerbitan
2001/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
kategori
III-V HBT

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]