Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Advanced SOI MOSFET's with Strained-Si/SiGe Heterostructures MOSFET SOI termaju dengan Struktur Heterostrain-Si/SiGe

Tomohisa MIZUNO, Naoharu SUGIYAMA, Atsushi KUROBE, Shin-ichi TAKAGI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah membangunkan SOI n- dan p-MOSFET termaju dengan saluran-Si tegang pada struktur penebat (strained-SOI) yang direka oleh teknologi SIMOX (separation-by-implanted-oxygen). Ciri-ciri substrat SOI tegang ini dan sifat elektrik MOSFET SOI tegang telah dikaji secara eksperimen. Menggunakan teknologi epitaksi-Si/relaxed-SiGe epitaxy dan proses SIMOX biasa, kami telah berjaya membentuk struktur berlapis bagi filem SiGe yang tegang sepenuhnya (20 nm)/lemi SiGe yang santai sepenuhnya (290 nm) pada lapisan oksida terkubur seragam (85 nm) di dalam lapisan SiGe. Ciri-ciri arus longkang yang baik telah diperolehi dalam MOSFET SOI tegang. Didapati bahawa mobiliti elektron dan lubang dipertingkatkan dalam MOSFET SOI tegang, berbanding dengan mobiliti universal dalam lapisan penyongsangan dan mobiliti kawalan SOI MOSFET. Faktor peningkatan mobiliti ini hampir sama dengan keputusan teori.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1423-1430
Tarikh penerbitan
2001/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
kategori
SiGe HBT & FET

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]