Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Overview and Trend of Chain FeRAM Architecture Gambaran Keseluruhan dan Trend Seni Bina Rantaian FeRAM

Daisaburo TAKASHIMA

  • pandangan teks lengkap

    1

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Memori akses rawak ferroelektrik rantai (FeRAM rantai) ialah penyelesaian untuk memori tak meruap berketumpatan tinggi dan berkelajuan tinggi pada masa hadapan. Satu sel memori terdiri daripada satu transistor dan satu kapasitor ferroelektrik yang disambung secara selari, dan satu blok sel memori terdiri daripada sel majmuk dan satu blok memilih transistor secara bersiri. Konfigurasi ini merealisasikan sel memori kecil sebanyak 4F2 saiz dan masa capaian rawak yang cepat. Makalah ini menunjukkan gambaran keseluruhan dan trend seni bina FeRAM rantai. Pertama, konsep rantai FeRAM dibentangkan, dan operasi asas termasuk dua skim pemanduan plat sel dibincangkan. Kedua, dengan mengandaikan penjanaan berbilang megabit, ciri dan prestasi ideal dibincangkan dari segi saiz cetakan, kelajuan dan aspek lain. Ketiga, prototaip rantai FeRAM dan struktur sel praktikal untuk memori berskala megabit menggunakan proses CMOS 0.5-logam 2 µm ditunjukkan. Dengan memperkenalkan teknik pemacu plat sel yang pantas dan padat, prototaip ini mencapai masa capaian rawak 37-ns dan masa kitaran baca/tulis 80-ns, yang merupakan kelajuan terpantas yang dilaporkan untuk FeRAM. Keempat, selepas membincangkan trend sel memori masa hadapan dan masalah berkenaan dengan FeRAM berskala, pendekatan blok sel keuntungan untuk FeRAM rantaian skala gigabit masa hadapan diperkenalkan. Ini menyedari kedua-dua saiz sel purata yang kecil dan isyarat sel yang besar walaupun pada polarisasi sel kecil.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.747-756
Tarikh penerbitan
2001/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
kategori
FeRAM

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]