Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A High-Endurance Read/Write Scheme for Half-Vcc Plate Nonvolatile DRAMs with Ferroelectric Capacitors Skim Baca/Tulis Ketahanan Tinggi untuk Separuh-Vcc Plat DRAM Tidak Meruap dengan Kapasitor Ferroelektrik

Hiroki FUJISAWA, Takeshi SAKATA, Tomonori SEKIGUCHI, Kazuyoshi TORII, Katsutaka KIMURA, Kazuhiko KAJIGAYA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Skim baca/tulis ayunan talian data kecil diterangkan untuk separuh-Vcc DRAM tak meruap plat dengan kapasitor ferroelektrik direka untuk mencapai kebolehpercayaan yang tinggi untuk operasi baca/tulis. Dalam skema ini, operasi baca/tulis biasa memegang data sebagai caj dengan ayunan talian-data yang kecil, dan operasi stor menyediakan polarisasi yang mencukupi dengan ayunan talian-data penuh. Skim ini membolehkan daya tahan baca/tulis yang tinggi, kerana ayunan talian data yang kecil mengurangkan keletihan kapasitor ferroelektrik. Dua teknologi litar digunakan dalam skim ini untuk meningkatkan margin operasi. Yang pertama ialah teknik kawalan voltan plat yang menyelesaikan masalah pengekalan polarisasi separuh-Vcc teknologi DRAM tidak meruap plat. Yang kedua ialah teknik penarikan semula kapasitans talian data berganda yang menghubungkan dua talian data ke sel dan membesarkan isyarat bacaan berbanding operasi biasa, apabila hanya satu talian data disambungkan ke sel. Teknik dan litar ini meningkatkan daya tahan kitaran tulis sebanyak hampir tiga urutan magnitud, sambil mengurangkan penggunaan kuasa tatasusunan semasa operasi baca/tulis kepada satu pertiga daripada DRAM tidak meruap konvensional.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.763-770
Tarikh penerbitan
2001/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
kategori
FeRAM

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]