Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Fabrication and Characterization of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Fabrikasi dan Pencirian Sel Memori Ferroelektrik Jenis 1T2C

Satoru OGASAWARA, Sung-Min YOON, Hiroshi ISHIWARA

  • pandangan teks lengkap

    1

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Sel memori ferroelektrik jenis 1T2C, di mana dua kapasitor ferroelektrik dengan luas yang sama disambungkan ke pintu MOSFET biasa dengan SiO2Antara muka /Si, telah direka dan dicirikan. Hubungan antara pelbagai parameter peranti dan ciri-ciri sel memori telah disiasat dengan menggunakan simulasi SPICE. Daripada hasil simulasi didapati bahawa tetingkap memori berubah dengan ketara oleh parameter peranti, yang bermaksud bahawa voltan operasi sel memori boleh dikawal dengan baik oleh parameter ini. Sel fabrikasi terdiri daripada struktur get bertindan Pt/SBT/Pt/Ti/SiO2/Si dengan nisbah luas kapasitor MOS (SO) kepada kapasitor ferroelektrik (SF) daripada 6 atau 10. Operasi memori tidak meruap telah disahkan, dan tetingkap memori yang diperolehi bertepatan dengan keputusan simulasi secara kualitatif. Tambahan pula, nisbah hidup/mati semasa dalam operasi baca keluar adalah lebih besar daripada 3-tertib-magnitud dan masa pengekalan data lebih lama daripada 6 104 detik. Ia juga diramalkan bahawa operasi voltan rendah adalah mungkin jika parameter peranti dioptimumkan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.771-776
Tarikh penerbitan
2001/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
kategori
FeRAM

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]