Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Growth of Epitaxial SrTiO3 on Epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) Substrate Using Ti-Buffer Layer Pertumbuhan Epitaxial SrTiO3 pada Substrat Epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) Menggunakan Lapisan Ti-Buffer

Kenya SANO, Ryoichi OHARA, Takashi KAWAKUBO

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Epitaxial SrTiO3(STO) filem pada epitaxial (Ti,Al)N/Si(100) telah berjaya diperolehi menggunakan lapisan Ti-buffer. SrTiO3 filem adalah (100) berorientasikan dan berkembang dalam hubungan epitaxial selari (kubus-pada-kubus), iaitu, (100) SrTiO3//(100)(Ti,Al)N//(100)Si, <110> SrTiO3//<110> (Ti,Al)N//<110> Si. Lapisan Ti-buffer telah ditanam pada (Ti, Al) N oleh magnetron sputtering, dan ketebalan lapisan penampan adalah 2-10 nm. Selepas filem STO terpercik, lapisan Ti-buffer ditukar kepada polycrystalline anatase-TiO2.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.808-813
Tarikh penerbitan
2001/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
kategori
FeRAM

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]