Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A 25 kV ESD Proof LDMOSFET with a Turn-on Discharge MOSFET LDMOSFET Bukti ESD 25 kV dengan MOSFET Nyahcas Hidupkan

Kazunori KAWAMOTO, Kenji KOHNO, Yasushi HIGUCHI, Seiji FUJINO, Isao SHIRAKAWA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas kerja ini mencadangkan LDMOSFET (MOSFET Resapan Berganda Lateral) yang mempunyai keteguhan terhadap keperluan ESD (Nyahcas Elektrostatik) yang paling sukar untuk ECU kereta (Unit Kawalan Elektronik) yang menyahcas 25 kV 150 pF melalui 150 ohm 1 µH tanpa litar pelindung luaran. Idea asas untuk mencapai ini adalah untuk menambah litar nyahcas baru pada LDMOSFET, yang dihidupkan apabila Model Badan Manusia (HBM) jenis ESD digunakan dan untuk menggunakan tenaga nyahcas dalam SOA (Kawasan Operasi Selamat) dalam LDMOSFET, mengelakkan kesesakan arus setempat transistor bipolar parasit yang menyebabkan kegagalan peranti ESD konvensional. Pertama, dinamik kesesakan semasa apabila LDMOSFET gerbang dibumikan terdedah kepada tegasan ESD diterangkan melalui simulasi SPICE tahap litar pada model peranti teragih selari. Kemudian LDMOSFET menghidupkan ESD baru dengan MOSFET nyahcas dicadangkan, yang mempunyai keteguhan ESD sebanyak 25 kV. Akhirnya ukuran ESD peranti baharu ditunjukkan mengikut anggaran yang baik dan memenuhi sasaran.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.823-831
Tarikh penerbitan
2001/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]