Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Electrical Transport in Nano-Scale Silicon Devices Pengangkutan Elektrik dalam Peranti Silikon Skala Nano

Hisao KAWAURA, Toshitsugu SAKAMOTO

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Makalah ini mengkaji keputusan percubaan kami untuk sifat pengangkutan elektrik bagi transistor kesan medan-oksida-separa konduktor silikon skala nano (MOSFET). Kami menggunakan peranti yang sangat kecil yang dihasilkan menggunakan teknik litografi berskala 10-nm: MOSFET simpang cetek elektrik (EJ-MOSFET) dan transistor elektron panas sisi (LHET). Dengan LHET kami berjaya mengesan secara langsung arus elektron panas dan menganggarkan panjang ciri sekitar 25 nm. Kami juga menyiasat mekanisme kelonggaran tenaga dengan melakukan pengukuran pada pelbagai voltan dan suhu yang digunakan. Tambahan pula, kami dengan jelas memerhatikan arus terowong antara sumber dan longkang (terowong longkang sumber) dalam EJ-MOSFET 8-nm-gate-panjang. Berdasarkan keputusan eksperimen ini, kami meramalkan had pengecilan MOSFET adalah sekitar 5 nm dalam skema terowong longkang sumber.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.8 pp.1037-1042
Tarikh penerbitan
2001/08/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Silicon Nanodevices)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]