Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

A Highly Linearized MMIC Amplifier Using a Combination of a Newly Developed LD-FET and D-FET Simultaneously Fabricated with a Self-Alignment/Selective Ion-Implantation Process Penguat MMIC Sangat Linear Menggunakan Gabungan LD-FET dan D-FET yang Baru Dibangunkan Secara Serentak Dicipta dengan Proses Penjajaran Sendiri/Ion-Implantasi Selektif

Masashi NAKATSUGAWA, Masahiro MURAGUCHI, Yo YAMAGUCHI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami mencadangkan teknik linearisasi untuk penguat MMIC. Perkara utama teknik ini ialah peningkatan lineariti MESFET rendah herotan rendah (LD-FET) yang baru dibangunkan dan dimaksimumkan IP3 dengan menggabungkan LD-FET dengan MESFET (D-FET) mod pengurangan keuntungan tinggi tanpa peningkatan penggunaan kuasa. LD-FET dicirikan oleh profil dopan saluran uniknya yang disediakan oleh yang dikebumikan p-jenis ion-implantasi dan berganda n-implantasi ion jenis dengan tenaga pecutan tinggi dan rendah. FET ini mencapai tingkah laku yang lebih rata dari segi kekonduksian bersama (gm) berbanding dengan MESFET konvensional tanpa mengira perubahan dalam voltan pincang pintu (Vgs). Proses penjajaran diri/implantasi ion terpilih membolehkan LD-FET dan D-FET dibuat secara serentak. Proses ini menggalakkan IP3 memaksimumkan penguat berbilang peringkat dengan menggabungkan kelebihan kedua-dua MESFET berciri berbeza dengan sewajarnya. Kami membuat dan menguji penguat MMIC dua peringkat yang sangat linear menggunakan teknik yang dicadangkan, dan mendapati bahawa nisbah intermodulasi tertib ketiganya (IMR) prestasi adalah 8.7 dB lebih baik daripada penguat MMIC konvensional pada tahap isyarat input -20 dBm tanpa peningkatan dalam pelesapan semasa. Konfigurasi yang dibina dengan menggunakan teknik yang dicadangkan sama-sama mengurangkan pelesapan semasa peringkat kedua kepada 1/2.72 kali ganda daripada konfigurasi konvensional, yang memerlukan D-FET 2.72 kali lebih besar pada peringkat kedua untuk mendapatkan 8.7-dB IMR penambahbaikan. Tambahan pula, kami dapat menambah baik IMR sebanyak 3.5 dB dengan mengoptimumkan keadaan pincang pintu untuk LD-FET. Keputusan ini mengesahkan kesahihan teknik yang dicadangkan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.12 pp.1981-1989
Tarikh penerbitan
2002/12/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Low-Distortion,High-Power,High-Efficiency Active Device and Circuit Technology)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]