Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots Pencirian Pelepasan Medan Elektron daripada Titik Kuantum Berasaskan Si Berbilang Susun

Yuto FUTAMURA, Katsunori MAKIHARA, Akio OHTA, Mitsuhisa IKEDA, Seiichi MIYAZAKI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah mencipta titik kuantum Si bertindan (QD) dengan dan tanpa teras Ge yang tertanam dalam SiO2 rangkaian pada n-Si(100) dan mengkaji ciri pelepasan elektron medan mereka di bawah aplikasi pincang DC. Bagi kes tindanan Si-QD tulen dengan nombor tindanan titik yang berbeza, medan elektrik purata dalam struktur susun titik di mana arus pelepasan elektron muncul mencapai nilai minimum pada nombor tindanan 11. Ini boleh dikaitkan dengan pengoptimuman elektron pelepasan disebabkan oleh kepekatan medan elektrik yang dipertingkatkan pada lapisan atas struktur bertindan titik dan pengurangan arus suntikan elektron daripada substrat n-Si, dengan bilangan tindanan yang meningkat. Kami juga mendapati bahawa, dengan memperkenalkan teras Ge ke dalam Si-QD, medan elektrik purata untuk pelepasan elektron boleh dikurangkan di bawah daripada struktur bertindan Si-QD tulen. Keputusan ini menunjukkan bahawa medan elektrik lebih tertumpu di bahagian atas Si-QD dengan lapisan teras Ge kerana potensi telaga yang mendalam untuk lubang dalam teras Ge.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.458-461
Tarikh penerbitan
2019/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018FUP0007
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
kategori

Pengarang

Yuto FUTAMURA
  Nagoya University
Katsunori MAKIHARA
  Nagoya University
Akio OHTA
  Nagoya University
Mitsuhisa IKEDA
  Nagoya University
Seiichi MIYAZAKI
  Nagoya University

Kata kunci

Contents [show]