Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Characterization and Modeling of a GaAsSb/InGaAs Backward Diode on the Basis of S-Parameter Measurement Up to 67 GHz Pencirian dan Pemodelan Diod Belakang GaAsSb/InGaAs Berdasarkan Pengukuran Parameter S Sehingga 67 GHz

Shinpei YAMASHITA, Michihiko SUHARA, Kenichi KAWAGUCHI, Tsuyoshi TAKAHASHI, Masaru SATO, Naoya OKAMOTO, Kiyoto ASAKAWA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami mengarang dan mencirikan diod ke belakang (BWD) GaAsSb/InGaAs ke arah merealisasikan pembetulan gelombang mikro pincang sifar kepekaan tinggi untuk penuaian tenaga gelombang RF. BWD p-GaAsSb/n-InGaAs padanan kekisi telah direka dan voltan semasanya (IV) ciri dan parameter S sehingga 67 GHz diukur berkenaan dengan beberapa jenis diameter mesa dalam susunan μm. Model teori dan analisis kami sesuai dengan yang diukur IVs berdasarkan penghampiran WKB bagi pemancaran. Telah disahkan bahawa terowong antara jalur disebabkan oleh heterojunction adalah mekanisme pengangkutan yang dominan untuk mempamerkan bukan linear. IV sekitar rejim bias sifar tidak seperti komponen arus rekombinasi atau resapan pada persimpangan pn menyumbang dalam rejim arus besar. Model litar setara BWD dijelaskan dengan mengesahkan pemasangan teori untuk kemasukan bergantung kepada frekuensi sehingga 67 GHz. Daripada model litar, menghapuskan komponen induktans parasit, pergantungan frekuensi kepekaan voltan penerus BWD diperolehi berkenaan dengan beberapa saiz diameter mesa. Ia secara kuantitatif mencadangkan keberkesanan pengurangan saiz mesa untuk meningkatkan sensitiviti voltan dipadankan intrinsik dengan peningkatan rintangan simpang dan mengekalkan magnitud IV pekali kelengkungan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.462-465
Tarikh penerbitan
2019/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018FUS0006
Jenis Manuskrip
BRIEF PAPER
kategori

Pengarang

Shinpei YAMASHITA
  Tokyo Metropolitan University
Michihiko SUHARA
  Tokyo Metropolitan University
Kenichi KAWAGUCHI
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Tsuyoshi TAKAHASHI
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Masaru SATO
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Naoya OKAMOTO
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Kiyoto ASAKAWA
  Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology

Kata kunci

Contents [show]