Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Prediction of DC-AC Converter Efficiency Degradation due to Device Aging Using a Compact MOSFET-Aging Model Ramalan Kemerosotan Kecekapan Penukar DC-AC akibat Penuaan Peranti Menggunakan Model Penuaan MOSFET Kompak

Kenshiro SATO, Dondee NAVARRO, Shinya SEKIZAKI, Yoshifumi ZOKA, Naoto YORINO, Hans Jürgen MATTAUSCH, Mitiko MIURA-MATTAUSCH

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kemerosotan kecekapan litar penukar DC-AC berasaskan SiC-MOSFET disebabkan oleh penuaan peranti aktif elektrik disiasat. Model penuaan kompak yang baru dibangunkan HiSIM_HSiC untuk SiC-MOSFET voltan tinggi digunakan dalam penyiasatan. Model ini mempertimbangkan secara eksplisit peningkatan ketumpatan perangkap pembawa dalam penyelesaian persamaan Poisson. Ciri-ciri penukar yang diukur semasa kerosakan talian ke tanah (3LG) 3 fasa dihasilkan semula dengan betul oleh model. Ia disahkan bahawa MOSFET mengalami tekanan tambahan disebabkan oleh berat sebelah yang tinggi yang berlaku semasa kejadian kerosakan, yang diterjemahkan kepada penuaan MOSFET yang teruk. Keputusan simulasi meramalkan pengurangan kecekapan penukar sebanyak 0.5% disebabkan oleh 70ms-3LG tunggal, yang bersamaan dengan satu tahun operasi dalam keadaan biasa, di mana tiada tekanan tambahan dikenakan. Dengan model kompak yang dibangunkan, ramalan kemerosotan kecekapan litar penukar di bawah tegasan berpanjangan, yang mana pengukuran sukar diperoleh dan biasanya tidak tersedia, juga boleh dilaksanakan.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.3 pp.119-126
Tarikh penerbitan
2020/03/01
Diumumkan
2019/09/02
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019ECP5010
Jenis Manuskrip
PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Kenshiro SATO
  Hiroshima University
Dondee NAVARRO
  Hiroshima University
Shinya SEKIZAKI
  Hiroshima University
Yoshifumi ZOKA
  Hiroshima University
Naoto YORINO
  Hiroshima University
Hans Jürgen MATTAUSCH
  Hiroshima University
Mitiko MIURA-MATTAUSCH
  Hiroshima University

Kata kunci

Contents [show]