Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

In-Situ N2-Plasma Nitridation for High-k HfN Gate Insulator Formed by Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering In situ N2-Plasma Nitridasi untuk Penebat Gerbang HfN Tinggi-k Dibentuk oleh Elektron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering

Shun-ichiro OHMI, Shin ISHIMATSU, Yuske HORIUCHI, Sohya KUDOH

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kami telah menyiasat N in-situ2-Nitridasi plasma untuk penebat get HfN berk tinggi yang dibentuk oleh percikan plasma resonans siklotron elektron (ECR) untuk menambah baik ciri elektrik. Didapati bahawa peningkatan tekanan gas nitridasi bagi HfN termendap1.1 penebat pintu, seperti 98 mPa, mengurangkan kedua-dua lebar histerisis dalam ciri CV dan arus bocor. Tambahan pula, proses nitridasi 2 langkah dengan tekanan gas nitridasi 26 mPa diikuti dengan nitridasi pada 98 mPa merealisasikan penurunan ketebalan oksida setara (EOT) kepada 0.9 nm dengan mengurangkan lebar histerisis dan arus bocor. Transistor kesan medan-penebat-separa pengalir logam (MISFET) yang direka dengan nitridasi 2 langkah menunjukkan ayunan subambang yang curam sebanyak 87 mV/dis.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.6 pp.299-303
Tarikh penerbitan
2020/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019FUP0001
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology
Shin ISHIMATSU
  Tokyo Institute of Technology
Yuske HORIUCHI
  Tokyo Institute of Technology
Sohya KUDOH
  Tokyo Institute of Technology

Kata kunci

Contents [show]