Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

The Evaluation of the Interface Properties of PdEr-Silicide on Si(100) Formed with TiN Encapsulating Layer and Dopant Segregation Process Penilaian Sifat Antara Muka PdEr-Silicid pada Si(100) Dibentuk dengan Lapisan Pengekapan TiN dan Proses Pengasingan Dopan

Rengie Mark D. MAILIG, Min Gee KIM, Shun-ichiro OHMI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Dalam makalah ini, kesan lapisan pengekapan TiN dan proses pengasingan dopan pada sifat antara muka dan pengurangan ketinggian halangan Schottky PdEr-silicid/n-Si(100) telah disiasat. Keputusan menunjukkan bahawa mengawal lokasi awal dopan boron dengan menambahkan lapisan pengekapan TiN menurunkan ketinggian halangan Schottky (SBH) untuk lubang kepada 0.20 eV. Tambahan pula, ketumpatan keadaan antara muka (Dit) mengikut urutan 1011eV-1cm-2 diperoleh menunjukkan bahawa proses pengasingan dopan dengan lapisan pengekapan TiN secara berkesan memusnahkan keadaan antara muka.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.6 pp.286-292
Tarikh penerbitan
2020/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019FUP0006
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
kategori
Bahan Elektronik

Pengarang

Rengie Mark D. MAILIG
  Tokyo Institute of Technology
Min Gee KIM
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Kata kunci

Contents [show]