Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer Simulasi Kesan Saluran Pendek dalam GaN HEMT dengan Gabungan Saluran Nipis Tidak Berdod dan Lapisan Separa Penebat

Yasuyuki MIYAMOTO, Takahiro GOTOW

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Dalam kajian ini, simulasi dilakukan untuk mereka bentuk peranti optimum untuk menipis lapisan saluran GaN pada lapisan separa penebat di HEMT. Apabila panjang get ialah 50nm, ketebalan saluran tidak didop mestilah lebih nipis daripada 300nm untuk melihat keadaan off. Apabila lapisan saluran GaN adalah Fe-doped, nisbah hidup/mati ~300 boleh dicapai walaupun dengan panjang get 25nm, walaupun transkonduktansi berkurangan sedikit.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E103-C No.6 pp.304-307
Tarikh penerbitan
2020/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2019FUS0002
Jenis Manuskrip
BRIEF PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Yasuyuki MIYAMOTO
  Tokyo Institute of Technology,Nagoya University
Takahiro GOTOW
  Tokyo Institute of Technology

Kata kunci

Contents [show]