Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Ambipolar Conduction of λ-DNA Transistor Fabricated on SiO2/Si Structure Pengaliran Ambipolar Transistor λ-DNA Dibuat pada SiO2/ Struktur Si

Naoto MATSUO, Kazuki YOSHIDA, Koji SUMITOMO, Kazushige YAMANA, Tetsuo TABEI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas kerja ini melaporkan tentang pengaliran ambipolar untuk transistor kesan medan (FET) λ-Deoxyribonucleic Acid (DNA) dengan 450, 400 dan 250 pasangan asas secara eksperimen dan teori. Didapati bahawa arus saliran DNA jenis p/Si FET meningkat apabila nisbah pasangan guanina-sitosin (GC) meningkat dan DNA jenis-n/Si FET menurun apabila nisbah adenina-timin. (AT) pasangan menurun, dan nisbah pasangan GC dan pasangan AT dikawal oleh jumlah bilangan pasangan asas. Selain itu, didapati mekanisme pengaliran lubang DNA/Si FET 400 bp adalah polaron hopping dan tenaga pengaktifannya ialah 0.13eV. Dengan mempertimbangkan pertalian elektron adenine, timin, guanin, dan sitosin, ciri-ciri ambipolar DNA/Si FET telah difahami. Lubang disuntik ke pangkalan guanin untuk voltan pintu negatif, dan elektron disuntik ke adenina, timin, dan sitosin untuk voltan pintu positif.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.8 pp.369-374
Tarikh penerbitan
2022/08/01
Diumumkan
2022/01/26
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECP5049
Jenis Manuskrip
PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Naoto MATSUO
  University of Hyogo
Kazuki YOSHIDA
  University of Hyogo
Koji SUMITOMO
  University of Hyogo
Kazushige YAMANA
  University of Hyogo
Tetsuo TABEI
  Hiroshima University

Kata kunci

Contents [show]