Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit Pemahaman Berasaskan Simulasi "Fenomena Perkongsian Caj" Dicetuskan oleh Insiden Ion Berat pada Litar Memori CMOS Pukal 65nm

Akifumi MARU, Akifumi MATSUDA, Satoshi KUBOYAMA, Mamoru YOSHIMOTO

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Untuk menjangkakan kejadian tunggal pada litar memori CMOS yang sangat bersepadu, penilaian kuantitatif perkongsian caj antara sel memori diperlukan. Dalam kajian ini, kawasan perkongsian caj yang disebabkan oleh kejadian ion berat dikira secara kuantitatif dengan menggunakan kaedah berasaskan simulasi peranti. Kesahan kaedah ini disahkan secara eksperimen menggunakan pemecut ion berat bercas.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.1 pp.47-50
Tarikh penerbitan
2022/01/01
Diumumkan
2021/08/05
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021ECS6008
Jenis Manuskrip
BRIEF PAPER
kategori
Litar Elektronik

Pengarang

Akifumi MARU
  JAXA,Tokyo Institute of Technology
Akifumi MATSUDA
  Tokyo Institute of Technology
Satoshi KUBOYAMA
  JAXA
Mamoru YOSHIMOTO
  Tokyo Institute of Technology

Kata kunci

Contents [show]