Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Open Access
AlGaN/GaN HEMT on 3C-SiC/Low-Resistivity Si Substrate for Microwave Applications
Membuka akses
AlGaN/GaN HEMT pada Substrat Si 3C-SiC/Resistiviti Rendah untuk Aplikasi Gelombang Mikro

Akio WAKEJIMA, Arijit BOSE, Debaleen BISWAS, Shigeomi HISHIKI, Sumito OUCHI, Koichi KITAHARA, Keisuke KAWAMURA

  • pandangan teks lengkap

    102

  • Petikan Ini
  • Free PDF (4.2MB)

Ringkasan:

Penyiasatan terperinci prestasi DC dan RF AlGaN/GaN HEMT pada substrat silikon perintang rendah (LR-Si) 3C-SiC/rendah dengan memperkenalkan lapisan GaN tebal dilaporkan dalam kertas ini. Pertumbuhan hetero-epitaxial dicapai dengan pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD) pada substrat LR-Si 6 inci yang disediakan secara komersial melalui lapisan perantaraan 3C-SiC. HEMT yang dilaporkan mempamerkan kehilangan RF yang sangat rendah dan ciri-ciri penguat yang stabil secara terma dengan pengenalan lapisan GaN yang tebal. Ciri isyarat kecil dan isyarat besar yang bergantung kepada suhu mengesahkan keberkesanan lapisan GaN tebal pada LR-Si, terutamanya dalam pengurangan kehilangan RF walaupun pada suhu tinggi. Secara ringkasnya, potensi tinggi peranti yang dilaporkan disahkan untuk aplikasi gelombang mikro.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.457-465
Tarikh penerbitan
2022/10/01
Diumumkan
2022/04/21
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022MMI0009
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Microwave and Millimeter-Wave Technologies)
kategori

Pengarang

Akio WAKEJIMA
  Nagoya Institute of Technology
Arijit BOSE
  Nagoya Institute of Technology
Debaleen BISWAS
  Nagoya Institute of Technology
Shigeomi HISHIKI
  Air Water Inc.
Sumito OUCHI
  Air Water Inc.
Koichi KITAHARA
  Air Water Inc.
Keisuke KAWAMURA
  Air Water Inc.

Kata kunci

Contents [show]