Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Design Consideration for Vertical Nonvolatile Memory Device Regarding Gate-Induced Barrier Lowering (GIBL) Pertimbangan Reka Bentuk untuk Peranti Memori Tidak Meruap Menegak Berkenaan Penurunan Halangan Tercetus Gerbang (GIBL)

Seongjae CHO, Jung Hoon LEE, Gil Sung LEE, Jong Duk LEE, Hyungcheol SHIN, Byung-Gook PARK

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Baru-baru ini, pelbagai jenis peranti memori tak meruap (NVM) 3-D telah dikaji untuk meningkatkan ketumpatan integrasi [1]-[3]. Peranti NVM struktur tiang boleh dianggap sebagai salah satu calon [4], [5]. Apabila ini digunakan pada tatasusunan memori denyar NAND, hujung bawah saluran peranti disambungkan kepada silikon pukal. Dalam kes ini, arus dalam arah menegak berbeza-beza bergantung pada ketebalan saluran silikon. Apabila saluran tebal, perbezaan tahap arus tepu antara keadaan hidup/mati peranti individu adalah lebih jelas. Sebaliknya, apabila saluran nipis, arus hidup/mati meningkat secara serentak manakala arus tepu tidak banyak berbeza. Sebabnya ialah halangan potensi saluran yang dilihat oleh elektron longkang diturunkan oleh voltan baca pada pintu kawalan dinding sisi bertentangan. Fenomena ini yang boleh berlaku dalam peranti struktur 3-D kerana kedekatan boleh dipanggil pengurangan halangan akibat pintu (GIBL). Dalam kerja ini, pergantungan GIBL pada ketebalan saluran silikon disiasat, yang akan menjadi kriteria dalam pelaksanaan peranti NVM ultra-kecil yang boleh dipercayai.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.620-626
Tarikh penerbitan
2009/05/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.620
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]