Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Standard BiCMOS Implementation of a Two-Peak Negative Differential Resistance Circuit with High and Adjustable Peak-to-Valley Current Ratio Pelaksanaan BiCMOS Standard bagi Litar Rintangan Beza Negatif Dua Puncak dengan Nisbah Arus Puncak-ke-Lembah yang Tinggi dan Boleh Laras

Dong-Shong LIANG, Kwang-Jow GAN, Cheng-Chi TAI, Cher-Shiung TSAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kertas kerja menunjukkan litar rintangan pembezaan negatif (NDR) dua puncak novel yang menggabungkan transistor kesan medan (MOS) logam-oksida-semikonduktor berasaskan SiGe dan transistor bipolar heterojunction (HBT) berasaskan SiGe. Berbanding dengan diod terowong resonans, MOS-HBT-NDR mempunyai dua kelebihan utama dalam reka bentuk litar kami. Salah satunya ialah pembikinan aplikasi berasaskan MOS-HBT-NDR ini boleh dilaksanakan sepenuhnya oleh proses BiCMOS standard. Satu lagi ialah arus puncak boleh diselaraskan dengan berkesan oleh voltan terkawal. Nisbah arus puncak ke lembah adalah kira-kira 4136 dan 9.4 pada puncak pertama dan kedua masing-masing. Ia sangat berguna untuk pereka litar untuk mempertimbangkan aplikasi berasaskan NDR.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.635-638
Tarikh penerbitan
2009/05/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.635
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]