Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Efficient AlGaN/GaN Linear and Digital-Switch-Mode Power Amplifiers for Operation at 2 GHz Penguat Kuasa AlGaN/GaN Linear dan Mod Suis Digital yang cekap untuk Operasi pada 2 GHz

Stephan MAROLDT, Dirk WIEGNER, Stanislav VITANOV, Vassil PALANKOVSKI, Rudiger QUAY, Oliver AMBACHER

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Kerja ini menangani kecekapan besar dan potensi kelinearan transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT) AlGaN/GaN yang dioptimumkan dalam penguat stesen pangkalan linear Doherty konvensional pada 2.7 GHz. Disokong oleh simulasi peranti fizikal, kerja ini menghuraikan lebih lanjut tentang penggunaan AlGaN/GaN HEMT dalam mod suis arus berkelajuan tinggi kelas-D (CMCD)/kelas-S MMIC untuk kadar data sehingga 8 Gbit/s bersamaan dengan 2 GHz RF-operasi. Keperluan peranti untuk operasi mod suis diperoleh dan disahkan oleh keputusan MMIC dalam operasi kelas-S dan kelas-D. Untuk pengetahuan penulis, ini adalah kali pertama operasi RF mod suis digital setara 2 GHz ditunjukkan dengan HEMT GaN dengan kecekapan tinggi.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1238-1244
Tarikh penerbitan
2010/08/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1238
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
kategori
Peranti berasaskan GaN

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]