Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

E-Band Low-Noise Amplifier MMICs Using Nanogate InGaAs/InAlAs HEMT Technology MMIC Penguat Bunyi Rendah E-Band Menggunakan Teknologi HEMT Nanogate InGaAs/InAlAs

Issei WATANABE, Akira ENDOH, Takashi MIMURA, Toshiaki MATSUI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

E-band low-noise amplifier (LNA) litar bersepadu gelombang milimeter monolitik (MMICs) telah dibangunkan menggunakan pseudomorphic In0.75Ga0.25Seperti dalam0.52Al0.48Sebagai transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT) dengan panjang get 50 nm. HEMT nanogate menunjukkan frekuensi ayunan maksimum (fmaks) sebanyak 550 GHz dan frekuensi potong keuntungan semasa (fT) sebanyak 450 GHz pada suhu bilik, yang merupakan demonstrasi percubaan pertama yang fmaks setinggi 550 GHz boleh dicapai dengan prosedur pintu ceruk satu langkah yang dipertingkatkan. Tambahan pula, menggunakan LNA-MMIC tiga peringkat dengan 50-nm-gate InGaAs/InAlAs HEMTs, kami mencapai angka hingar minimum 2.3 dB dengan keuntungan yang berkaitan sebanyak 20.6 dB pada 79 GHz.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1251-1257
Tarikh penerbitan
2010/08/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1251
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
kategori
Peranti dan Litar Berkelajuan Tinggi III-V

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]