Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Highly Reliable and Drivability-Enhanced MOS Transistors with Rounded Nanograting Channels Transistor MOS Yang Sangat Boleh Dipercayai dan Dipertingkatkan Kebolehmanduan dengan Saluran Nanograting Bulat

Takashi ITO, Xiaoli ZHU, Shin-Ichiro KUROKI, Koji KOTANI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Struktur MOSFET saluran nanograting telah dioptimumkan dengan hanya membulatkan sudut nanogratings. Kebolehgerakan semasa MOSFET saluran nanograting yang dioptimumkan telah dipertingkatkan sebanyak kira-kira 20% dan 50% untuk kedua-dua MOSFET saluran n dan saluran p, masing-masing. Perubahan mobiliti dianalisis berdasarkan tekanan saluran serta perubahan teori mobiliti oleh pelbagai orientasi permukaan. Tegasan mampatan dalaman sebanyak 0.23% diukur dalam saluran. Dengan menekan peningkatan medan elektrik di tepi sudut saluran nanograting kepada kurang daripada 10%, MOSFET nanograting bulat yang dibuat mencapai jangka hayat NBTI dan TDDB selagi peranti planar konvensional.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.11 pp.1638-1644
Tarikh penerbitan
2010/11/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1638
Jenis Manuskrip
PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]