Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Effect of High Frequency Noise Current Sources on Noise Figure for Sub-50 nm Node MOSFETs Kesan Sumber Arus Bunyi Frekuensi Tinggi pada Rajah Bunyi untuk MOSFET Nod Sub-50 nm

Hiroshi SHIMOMURA, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hiroshi IWAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Penskalaan rendah teknologi CMOS telah menghasilkan peningkatan yang kukuh dalam prestasi RF bagi MOSFET pukal dan SOI. Untuk merealisasikan litar RF hingar rendah, pemahaman yang lebih mendalam tentang prestasi hingar untuk MOSFET diperlukan. Bunyi terma ialah punca hingar utama peranti CMOS untuk prestasi frekuensi tinggi, dan didominasi oleh hingar saluran longkang, hingar pintu teraruh dan bunyi korelasinya. Dalam kerja ini, kami mengukur parameter hingar RF (Fminit, Rn, Γ pilih) daripada MOSFET nod 45 nm dari 5 hingga 15 GHz dan sumber hingar yang diekstrak dan pekali hingar P, R, dan C dengan menggunakan model van der Ziel yang dipanjangkan. Kami mendapati, buat kali pertama, pekali korelasi itu C berkurangan daripada nilai positif kepada nilai negatif apabila panjang get dikurangkan secara berterusan dengan panjang get sub-100 nm. Kami mengesahkan bahawa model angka hingar Pucel, menggunakan pekali hingar P, R, dan C, boleh dianggap sebagai anggaran yang baik walaupun untuk MOSFET sub-50 nm. Kami juga membincangkan kesan penskalaan pekali hingar, terutamanya pekali hingar korelasi C pada angka hingar minimum.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.678-684
Tarikh penerbitan
2010/05/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.678
Jenis Manuskrip
PAPER
kategori
Bahan dan Peranti Semikonduktor

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]