Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Design and Simulation of 4Q-Multiplier Using Linear and Saturation Regions of MOSFET Complementally Reka Bentuk dan Simulasi 4Q-Multiplier Menggunakan Kawasan Linear dan Tepu MOSFET Secara Pelengkap

Tsutomu SUZUKI, Takao OURA, Teru YONEYAMA, Hideki ASAI

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Pengganda empat kuadran (4Q) baharu yang saling melengkapi menggunakan kawasan linear dan tepu MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dicadangkan untuk julat dinamik yang luas dan fleksibiliti unggul julat input. Pengganda ini beroperasi di rantau ini kecuali untuk voltan ambang VT kepada sifar. Kesahan litar yang dicadangkan disahkan melalui simulasi HSPICE.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E85-A No.6 pp.1242-1248
Tarikh penerbitan
2002/06/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Section on Papers Selected from 2001 International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC 2001))
kategori

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]