Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Open Access
An Evaluation of a New Type of High Efficiency Hybrid Gate Drive Circuit for SiC-MOSFET Suitable for Automotive Power Electronics System Applications
Membuka akses
Penilaian Jenis Baharu Litar Pemacu Gerbang Hibrid Berkecekapan Tinggi untuk SiC-MOSFET Sesuai untuk Aplikasi Sistem Elektronik Kuasa Automotif

Masayoshi YAMAMOTO, Shinya SHIRAI, Senanayake THILAK, Jun IMAOKA, Ryosuke ISHIDO, Yuta OKAWAUCHI, Ken NAKAHARA

  • pandangan teks lengkap

    140

  • Petikan Ini
  • Free PDF (7.4MB)

Ringkasan:

Sebagai tindak balas kepada sistem pengecasan pantas, peranti semikonduktor kuasa Silicon Carbide (SiC) amat menarik minat aplikasi elektronik kuasa automotif kerana sistem pengecasan pantas generasi seterusnya memerlukan bateri voltan tinggi. Untuk EV bateri voltan tinggi (Kenderaan Elektrik) melebihi 800V, peranti semikonduktor kuasa SiC sesuai untuk penyongsang 3 fasa, pengecas bateri dan penukar DC-DC terpencil kerana penarafan voltan tinggi dan prestasi kecekapan tinggi. Walau bagaimanapun, SiC-MOSFET mempunyai dua ciri yang mengganggu pensuisan berkelajuan tinggi dan operasi prestasi kecekapan tinggi untuk aplikasi SiC MOS-FET dalam sistem elektronik kuasa automotif. Satu ciri ialah penarafan voltan rendah terminal sumber pintu, dan satu lagi ialah rintangan pintu dalaman yang besar bagi SiC MOS-FET. Tujuan kerja ini adalah untuk menilai litar pemacu gerbang hibrid yang dicadangkan yang boleh mengabaikan rintangan pintu dalaman dan mengekalkan kestabilan terminal sumber pintu bagi aplikasi SiC-MOSFET. Telah didapati bahawa litar pemacu get hibrid yang dicadangkan boleh mencapai prestasi pensuisan kehilangan yang lebih cepat dan lebih rendah daripada litar pemacu get konvensional dengan menggunakan ciri pemacu get sumber semasa. Di samping itu, litar pemacu get yang dicadangkan boleh menggunakan ciri pemacu get sumber voltan untuk melindungi terminal sumber get walaupun penarafan voltan rendah terminal sumber get SiC MOS-FET.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E105-A No.5 pp.834-843
Tarikh penerbitan
2022/05/01
Diumumkan
2021/11/26
ISSN dalam talian
1745-1337
DOI
10.1587/transfun.2021GCI0001
Jenis Manuskrip
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Analog Circuit Techniques and Related Topics)
kategori

Pengarang

Masayoshi YAMAMOTO
  Nagoya University
Shinya SHIRAI
  Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Senanayake THILAK
  Nagoya University
Jun IMAOKA
  Nagoya University
Ryosuke ISHIDO
  ROHM Co., Ltd
Yuta OKAWAUCHI
  ROHM Co., Ltd
Ken NAKAHARA
  ROHM Co., Ltd

Kata kunci

Contents [show]