Fungsi carian sedang dalam pembinaan.
Fungsi carian sedang dalam pembinaan.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Accomplishment of At-Speed BISR for Embedded DRAMs Pencapaian BISR Kelajuan untuk DRAM Terbenam

Yoshihiro NAGURA, Yoshinori FUJIWARA, Katsuya FURUE, Ryuji OHMURA, Tatsunori KOMOIKE, Takenori OKITAKA, Tetsushi TANIZAKI, Katsumi DOSAKA, Kazutami ARIMOTO, Yukiyoshi KODA, Tetsuo TADA

  • pandangan teks lengkap

    0

  • Petikan Ini

Ringkasan:

Peningkatan masa ujian DRAM terbenam (e-DRAM) ialah salah satu isu utama ujian peranti System-on-chip (SOC). Kertas kerja ini bercadang untuk meletakkan fungsi analisis pembaikan pada cip sebagai Pembaikan Sendiri Terbina (BISR). BISR dilakukan pada 166 MHz pada kelajuan e-DRAM dengan menggunakan peralatan ujian automatik kos rendah (ATE). Keluasan BISR ialah 1.7 mm2. Menggunakan borang jadual penyimpanan ralat menyumbang untuk merealisasikan penalti kawasan kecil fungsi analisis pembaikan. Masa ujian fungsi e-DRAM oleh BISR adalah kira-kira 20% kurang daripada kaedah konvensional pada ujian tahap wafer. Selain itu, sampel perwakilan dihasilkan untuk mengesahkan keupayaan analisis pembaikan. Keputusan menunjukkan bahawa semua sampel sebenarnya dibaiki oleh maklumat pembaikan yang dijana oleh BISR.

Jawatankuasa
IEICE TRANSACTIONS on Information Vol.E85-D No.10 pp.1498-1505
Tarikh penerbitan
2002/10/01
Diumumkan
ISSN dalam talian
DOI
Jenis Manuskrip
Special Section PAPER (Special Issue on Test and Verification of VLSI)
kategori
BIST

Pengarang

Kata kunci

Contents [show]